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首页 > 晶体管 >
类目： 
  • 通用插件三极管
  • 达林顿晶体管阵列
  • 场效应管(MOSFET)
  • 通用贴片三极管
  • 达林顿三极管
更多
品牌： 
  • 国产
  • CJ(江苏长电/长晶)
  • onsemi(安森美)
  • UTC(友顺)
  • TI(德州仪器)
  • DIODES(美台)
  • UMW(友台半导体)
  • ST(意法半导体)
  • Infineon(英飞凌)
  • WINSOK(微硕)
更多
封装： 
  • TO-92
  • SOT-23(SOT-23-3)
  • SOIC-16
  • SOT-23
  • DIP-16
  • DIP-18
  • PQFN-8(5x6)
  • PowerDI-3333-8
  • PowerDI3333-8
  • SOIC-18_300mil
  • SOP-16
  • SOP-18_300mil
  • SOT-23-3
  • TO-220-3
  • TO-247AC-3
  • TO-252
  • TO-252-2(DPAK)
更多

  •     图片
  • 型号 | 品牌
  • 描述
  • 价格梯度     未税单价
  • 操作

  • S8050 J3Y

    • 分类: 通用贴片三极管
    • 型号: S8050 J3Y
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350,丝印J3Y
    • 1+: ￥0.12
    • 100+: ￥0.09
    • 个
    • 合计： ￥0.12

  • S9014

  • 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@1mA,5V J6 250-400 NPN,Vceo=45V,Ic=0.1A,丝印J6
    • 1+: ￥0.12
    • 100+: ￥0.09
    • 个
    • 合计： ￥0.12

  • MMBT5401

    • 分类: 通用贴片三极管
    • 型号: MMBT5401
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：150V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V H档200-300 PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L
    • 1+: ￥0.12
    • 100+: ￥0.09
    • 个
    • 合计： ￥0.12

  • MMBT5551

    • 分类: 通用贴片三极管
    • 型号: MMBT5551
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V G1 H档200-300 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300
    • 1+: ￥0.12
    • 100+: ￥0.09
    • 个
    • 合计： ￥0.12

  • S9013 J3

    • 分类: 通用贴片三极管
    • 型号: S9013 J3
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3
    • 1+: ￥0.12
    • 100+: ￥0.09
    • 个
    • 合计： ￥0.12

  • S8550 2TY

    • 分类: 通用贴片三极管
    • 型号: S8550 2TY
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW (200-350) PNP,Vceo=-25V,Ic=-0.5A,hfe=200~350,丝印2TY
    • 1+: ￥0.12
    • 100+: ￥0.09
    • 个
    • 合计： ￥0.12

  • ULN2003ADR

  • 开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic)：13V@2V,300mA 集电极电流(Ic)：500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic)：1.6V@350mA ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
    数据手册
    • 1+: ￥0.7
    • 50+: ￥0.55
    • 个
    • 合计： ￥0.7

  • ULN2003ADR2G

  • 达林顿晶体管驱动器阵列 这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0
    数据手册
    • 1+: ￥2.32
    • 50+: ￥1.83
    • 个
    • 合计： ￥2.32

  • MJD127

    • 分类: 达林顿三极管
    • 型号: MJD127
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: TO-252-2(DPAK)
  •  PNP,Vceo=-100V,Ic=-8A
    数据手册
    • 1+: ￥1.13
    • 50+: ￥0.88
    • 个
    • 合计： ￥1.13

  • BCV47

    • 分类: 达林顿三极管
    • 型号: BCV47
    • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
    • 封装: SOT-23-3
  • NPN,Vceo=60V,Ic=0.5A
    数据手册
    • 1+: ￥0.22
    • 50+: ￥0.17
    • 个
    • 合计： ￥0.22

  • TIP122

  • 类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：100V 集电极电流(Ic)：5A 功率(Pd)：2W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic)：1000@3V,3A 厚片
    数据手册
    • 1+: ￥1.6
    • 50+: ￥1.3
    • 个
    • 合计： ￥1.6

  • 2N7002

  • 数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V
    • 1+: ￥0.07
    • 100+: ￥0.06
    • 个
    • 合计： ￥0.07

  • ULN2003A

  • ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路，由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用，且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻，可与 TTL 和 5V CMOS 兼容，无需逻辑缓冲器即可进行数据处理
    • 1+: ￥0.7
    • 50+: ￥0.5
    • 个
    • 合计： ￥0.7
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